家庭物联网

消费者的需求和依赖更加智能, 功能丰富的联网物联网设备继续增长, with 5G and the broader coverage and transformational user experiences it promises poised to fuel still more demand. 与需求, 然而, comes the challenge of delivering increasingly complex IoT devices while reducing the 成本 and power consumption.

Audio & 显示

更身临其境的AV/VR和混合现实体验. Ultra-high resolution display and advanced imaging technology that make stunning visual detail and color possible, 在家里,在路上. 更智能的音频, hearable devices and wearable devices that deliver advanced features with worry-free battery life. 消费者对这些产品的期望从未如此之高,而GlobalFoundries® (GF®) is ready with an application-optimized portfolio of 解决方案 to help chip designers meet, 甚至打, 预期.

音频和显示 / 智能音频/可听soc使用22FDX®RF与eMRAM

智能音频/可听soc使用22FDX®RF与eMRAM

Best-in-class leakage and power benefits that can extend battery life up to twofold combined with a rich feature set make 来自GlobalFoundries的22FDX®射频解决方案® (GF®)是真正的无线立体声(TWS) SoC应用的卓越选择. Designers can take advantage of exceptional RF 性能 for seamless wireless connectivity, 性能 and area-optimized digital elements for enhanced AI capability and an optimized eMRAM that can replace embedded flash for area and power savings.

集成, single-chip 解决方案 built on 22FDX® RF enable designers to reduce the BOM for smart audio/hearables by > 10 chips.

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耳麦
优化的移动音频

22FDX®RF提供卓越的有功功率(0.4 V), ultra-low leakage (<1 pA/µm), and excellent area efficiency (> 5M gates/mm2), 结合业界领先的模拟能力(噪声, 不匹配, 短沟道效应).

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向上和向右的箭头
提升音频体验

22FDX®是单片TWS解决方案的优秀选择, 使设计人员能够利用优越的射频PA性能, LDMOS (5 V-6.5 V) for integrating the battery charger and power management features and a qualified eMRAM solution to enhance the user experience.

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速度计
更快的上市时间

22至于®, 设计师利用经过硅验证的元素, 包括低泄漏和低功耗设计库, adaptive body bias for power-state throttling and a wide range of memory options (OTP/MTP/eMRAM)—along with connectivity and security IP—for differentiation and a time to market advantage.

音频和显示 / 音频CODECs,前置放大器和麦克风控制器使用22FDX®和55nm BCDLite®

音频CODECs,前置放大器和麦克风控制器使用22FDX®和55nm BCDLite®

GlobalFoundries® (GF®) 22FDX® (22nm FD-SOI) 解决方案 singularly deliver both high 性能 and low power, 提供一流的泄漏和显著延长电池寿命. 22FDX® features enhanced noise 性能 and modeling to minimize unwanted background noise. 低闪变噪声器件特性使音频前置放大器集成, 5v LDMOS允许直接连接电池,以优化电池寿命. Chip designers can also take advantage of magneto resistive non-volatile memory (eMRAM) for simple, 高容量上存储, 具有高性能和耐力, 所有这些都在一个设备中. 

GF 55nm BCDLite解决方案为需要成本效益的产品进行了优化, 混合信号(A/D)能力, 在对空间的设计. 它支持跨电压范围的音频/麦克风控制器应用程序,从0.9v至30v,满足高动态范围要求. 该解决方案结合了低功耗逻辑, 低漏源电阻, 先进的电源监控和嵌入式内存功能.

Processing a music stream with active noise cancellation consumes less than 10 percent of GAP9 [Greenwaves’ hearables platform] resources, leaving plenty of headroom for dramatically improving the audio comfort or other new cutting-edge features, 同时简化了它们的发展. 女朋友的22个社®平台, 以其令人难以置信的性能, 超低功率容量, 低漏电流, 和灵活性, 对24K皇冠苹果app实现业绩目标有帮助吗.

——卢Lietar 
首席执行官GreenWaves技术

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权力 & area-efficient,加上

With superior active power and ultra-low leakage (<1 pA/µm) capabilities, 22FDX®具有显著的功率优势, 包括一个0.4 V Vdd operating voltage, while also delivering excellent area efficiency (> 5M gates/mm2).

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平衡性能 & 成本

低R和超低RDSon power FETs on 55 nm BCDLite provide a 30% to 47% reduction in on-resistance compared to previous GF BCDLite processes for die-成本 and conversion efficiency advantages.

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分化 & 可靠性

22FDX®使设计师能够利用硅验证元件, including adaptive body bias for power-state throttling and a wide range of memory options (OTP/MTP/eMRAM)—along with connectivity and security IP—for differentiation and a time-to-market advantage. GF 55 nm BCDLite 解决方案 are in high-volume production and feature world-class D0 (< 0.04 def /2)缺陷密度.

计算

今天的物联网设备因新的智能水平而增强. And the sophistication of these devices continues to increase dramatically as the demand for smart features like face, 语音和物体识别能力增长, 随着处理和智能反应的发展. 同时,保护用户的数字身份仍然是一个关键问题.

GlobalFoundries® (GF®)理解相关的超低功率, 高性能和安全性需求是实现这些价值优化的关键, 更智能的消费者物联网设备是半导体芯片设计师的首要考虑, 并准备了一系列特定于处理的解决方案可供选择.

 

“Our goal was to bring design innovation to some of the key challenges inherent in edge inference processors. 这也是24K皇冠苹果app选择GF作为铸造厂的原因.”

——史蒂夫·泰格(Steve Teig), Perceive公司CEO

 

计算 / 物联网单片机

消费者物联网mcu使用22FDX®FD-SOI & 40/110/150纳米块状CMOS

GlobalFoundries® (GF®)提供一系列针对性优化的消费物联网MCU解决方案, 使设计师能够满足该区域, 性能, 硬件的功率和成本目标.

基于22fdx的物联网mcu的出货量已超过1亿块.

27 MCU新产品引进采用22FDX®,具有100%的首次样机成功.

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满足竞争的需求

女朋友的40纳米, 110 nm和150 nm溶液, 构建在大型CMOS平台上, 提供高价值, 功能丰富的, power-optimized and low mask-count options for developing 成本-sensitive consumer 物联网单片机. 设计师可以利用供应商的诚信为一时的市场优势.

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目的建立

22FDX®提供完整的SoC集成(eMRAM, 一个芯片上的模拟功率和射频元件), logic scaling (for AI and security features) for > 20% smaller footprint* and lower BOM 成本s. The unique 22FDX® SOI architecture gives designers additional power mode throttling capabilities with easy to use back-gate biasing 解决方案 to reduce power > 50%* to extend battery life without compromising 性能.

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方格里有四个正方形和一个圆圈
区分有信心

A rich portfolio of MCU-optimized IP and reference designs helps clients stand out from their competition, 更快地进入市场.

*与22纳米CMOS相比.

计算 / 边缘AI加速器使用12LP/12LP+和22FDX®

边缘AI加速器使用12LP/12LP+和22FDX®

The 12LP/12LP+ FinFET and 22FDX® FD-SOI edge AI accelerator 解决方案 from GlobalFoundries® (GF®)被优化以减少延迟和可操作的响应时间, 哪些可以通过边缘管理数据来增强安全性和数据隐私. 这种专门设计的解决方案结合了功率谱, 性能 and area advantages that enable chip designers to choose the best fit for their standalone or embedded AI SoCs.

22FDX® is up to 1000x more power-efficient than current industry edge AI accelerator offerings*

12LP/12LP+提供了ai优化的性能,具有与7 nm相同的全球路由能力, 所以你可以更聪明地设计, 不是小.

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人工智能图标
在边缘加速人工智能

GF 12LP/12LP+ and 22FDX® 解决方案 are optimized to deliver the 性能 horsepower you need to handle the demands of AI inferencing at the edge, 而不是在数据中心.

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带避雷针的电池
解决权力挑战

利用22FDX®的低动态功率和一流的泄漏功率, excellent thermal 性能 from 12LP/12LP+ and a low-voltage SRAM available with 12LP+ and 22FDX® to minimize power consumption in AC-wired or battery-powered devices.

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方格里有四个正方形和一个圆圈
区分有信心

利用ai调节功能的组合, including the AI reference package available with 12LP/12LP+ and the eMRAM AI storage core available in automotive grade 1-qualified 22FDX® to stand out from your competition.

*假设边缘设备的典型功耗为10到数百瓦. 22FDX®可实现20毫瓦的功耗.

无线连接

而无线连接正在普及, 蓝牙标准的发展, 全球定位系统(GPS), Wi-Fi和Zigbee加上5G硬件的加速推出增加了复杂性. Keeping pace with the challenges of handling multiple standards in shrinking form factors—with battery life measured in days, 而不是时间——需要在无线SoC架构上创新的新途径.

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无线wifi统计
>40 billion

到2025年,将有超过400亿台联网物联网设备.*

无线连接 / 无线连接使用22FDX®RF

无线连接使用22FDX®RF

消费类物联网硬件对性能、功率、面积和成本都很敏感. 所有这些都足够可靠,经得起持续使用.

来自GlobalFoundries的22FDX®射频解决方案® (GF®), 基于22纳米FD-SOI平台, enable designers to take advantage of superior power efficiency and 性能 while integrating multiple features into a single chip for significant area and BOM 成本 advantages. 因为22FDX®是汽车一级合格, 该解决方案提供了消费者物联网应用所依赖的高可靠性.

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空间 & 权力的守财奴

22FDX® RF enables the industry’s only single-chip modem for > 20% area savings, while adaptive body bias gives designers the ability to cut dynamic power by 30% and leakage power by 60%.*

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针对消费者物联网进行优化

利用22FDX®RF提供的物联网特定功能和功能, 包括一流的射频灵敏度, eMRAM和直接电池连接PMIC集成.

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注入创新

利用FDXcelerator™生态系统, 一个全面的, 硅验证的IP组合和参考设计,以区分今天, 并利用强大的FDX™路线图到12纳米规划下一代, future-ready芯片.

*与22纳米CMOS相比,面积更小. 与12 nm FinFET相比,动态和泄漏功率降低.